薄膜キャパシタ内蔵インターポーザ

抄録

LSIの電源電圧の安定化を図るべく、薄膜キャパシタ内蔵インターポーザを開発した。薄膜キャパシタの誘電体は当社独自のASCVD（Aerosol CVD）によるSTO（SrTiO3）薄膜を応用した。STOは温度依存性が低く、発熱するLSI近傍へ配置する事に好適な誘電体である。今回評価用LSIを実装した薄膜キャパシタ内蔵インターポーザによる電源電圧変動の測定を試みたので報告する。