抄録
Si貫通配線(TSV)を用いてLSIを積層する三次元実装技術が注目を浴びている。現在TSVの作成工程において、銅拡散防止膜（バリアメタル）、導電性Cuシード層の形成にはスパッタやCVDなどが現在用いられているが、これらは高コスト、あるいは高温プロセスといった問題があるので真空装置を用いない無電解めっき法をバリア、シード層形成に用いることを検討した。本研究では、無電解めっきのTSVへのプロセス応用に向け、Si酸化膜上にPdナノ粒子触媒処理を行った後、無電解めっきによるCo合金めっき膜をバリア層として形成し、その密着強度の向上、さらにはＴＳＶへのＣｕ埋め込みなどを検討した。
