高強度光照射による液晶素子の電気的特性

抄録

液晶素子の耐光性を評価する指標の一つとして、高強度光照射時の液晶素子の電気光学特性の変化に着目した。しきい値以下の電圧印加において素子の抵抗値と静電容量の周波数依存性を測定した結果、数百Hzの正弦波電圧印加時では、光照射による素子の光学特性変化が始まる照射量の１/２程度で抵抗値が減少することが確認された。