LiGaSi₂O₆の結晶構造と固体ガリウム-69 NMRスペクトル

抄録

1770k/6 GPaで合成したLiGaSi₂O₆単斜輝石と，同結晶を1073 K/1気圧および1123 k/1気圧でアニールしたもの，計3種の結晶構造を，単結晶x線データをもとに精密化した。これらはLiAlSi₂O₆スポジュメンと同型であり，アニール処理が進むと共に平均Ga-O1距離は増加し， Ga-O1-Ga角は減少する。これらの事実は，6配位席を占めるGaに，電子状態の異なる2種類のGaが，存在することを示唆する。また，1770 k/6 GPaで合成したLiGaSi₂O₆単斜輝石の固体ガリウム-69 NMRスペクトルと，アニール処理したLiGaSi₂O₆のNMRスペクトルとを比較したところ，6配位席を占めるGaには，電子状態の異なる2種類のGaが，存在することが確かめられた。