1770 K/6 GPaで合成した(Li, Na)GaSi2O6,単斜キ石と,同結晶を573 K/1気圧でアニールしたもの,計8種の結晶構造を,単結晶X線データをもとに精密化した。これらは空間群C2/c, Z=4で, Liに富むキ石はLiAISi2O6スポジュメンと同型であり, Naに富むキ石はNaAlSi2O6ひすいキ石と同型である。(Li, Na)GaSi2O6単斜キ石においてGaは,唯一の結晶化学的席である6配位席を占めているが,O1-Si-O2角とdbr-nbr距離との相関性を調べたところ,電子状態の異なる2種類のGaの存在が推察された。dbr-nbr距離は,平均Si-O(架橋)距離と平均Si-O(非架橋)距離の差である。