電気学会論文誌Ａ（基礎・材料・共通部門誌）
Online ISSN : 1347-5533
Print ISSN : 0385-4205
ISSN-L : 0385-4205
III-V族希薄磁性半導体
宗片 比呂夫
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キーワード: III-V族化合物半導体, 希薄磁性半導体, 分子線エピタキシー, 異常ホール効果, 磁気光効果
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1995 年 115 巻 4 号 p. 317-323

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