Structure and Composition of ZnS Films Prepared by Radio-Frequency Magnetron Sputtering

Tomoaki Sugawara; Isao Shimono; Hisashi Fukuda; Motokazu Nishino; Masaki Yoshino; Shigeru Nomura

doi:10.1541/ieejfms1990.120.4_470

マグネトロンスパッタ法により作製したZnS膜の構造と組成

菅原智明, 下野功, 福田永, 西野元一, 吉野正樹, 野村滋

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キーワード: ZnS, 薄膜, スパッタリング, アルゴンガス圧力, ターゲット-基板間距離, 構造, 配向性, 組成

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2000 年 120 巻 4 号 p. 470-477

DOI https://doi.org/10.1541/ieejfms1990.120.4_470

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発行日: 2000/04/01 受付日: 1999/12/15 J-STAGE公開日: 2008/07/15 受理日: - 早期公開日: - 改訂日: -
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訂正日: 2008/07/15 訂正理由: - 訂正箇所: 引用文献情報訂正内容: 訂正前 : (1) H. Xian, P. Benalloul, C. Barthou and J. Benoit: "Quantitative Analyses and Crystallographic Studies of ZnS: Mn Thin Films Prepared by R. F. Magnetron Reactive Sputtering";, Thin Solid Films, Vol. 248, No. 2, p. 193～198 (1994)
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訂正後 : (13) 神戸明宏、星陽一、鈴木英佐:「対向ターゲット式スパッタ法により得られる薄膜の微細構造の計算機シミュレーション」,東京工芸大学工学部紀要,Vo1. 19, No. 1, p. 72～77 (1997)
(14) 金原楽:「スパタリング現象」,東京大学出版会,p. 180～181 (1991)

訂正日: 2008/07/15 訂正理由: - 訂正箇所: PDFファイル訂正内容: -

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