真空中の電界電子放出源の挙動に対する課電履歴の影響について
ジャーナル
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2000 年
120 巻
5 号
p. 560-567
詳細
-
発行日: 2000/05/01
受付日: 1999/12/10
J-STAGE公開日: 2008/07/15
受理日: -
早期公開日: -
改訂日: -
-
訂正情報
訂正日: 2008/07/15
訂正理由: -
訂正箇所: 引用文献情報
訂正内容: 訂正前 : (2) R. V. Latham: 「High Voltage Vacuum Insulation」 (Academic, London, 1995).
(4) 鶴田ら:「高真空中のガス吸着とMicro-discharge発生」,電学論A, 110, 6, 365 (1990)
(5) 塩入ら:「真空ギャップの絶縁破壊特性に及ぼす酸化の影響と真空加熱処理による表面の洗浄効果」,電学論A, 111, 7, 777 (1991)
(6) 塩入ら:「真空ギャップ間に金属粒子が存在する場合の絶縁破壊特性」,電学論A, 113, 4, 313 (1993)
(7) 小林ら:「超高真空中における無酸素銅電極の絶縁破壊特性」,電学論A, 14, 2, 91 (1994)
(8) 鶴田ら:「前駆電流測定による真空インパルス放電の検討」,電学論A, 18, 15 (1978)
(9) 高橋ら:「真空絶縁破壊と暗電流の関係」,電学論A, 46, 15 (1978)
(10) 菅原ら:「真空中の電圧一電流特性に及ぼす陰極表面状態の効果について」,電学論A, 108, 1, 15 (1988)
(11) 磯野ら:「電界放出電子と電極表面の微小突起との関係」,電学論A, 109, 9, 383 (1989)
(16) 高橋ら:「真空ギャップにおける絶縁破壤前駆電流特性と絶縁破壊電圧の関係」,電学論A, 119, 2, 151 (1999)
(17) 高崎ら:「真空中の電界放出機構における電子放出源の挙動について」,電学論A, 114, 2, 84 (1994)
(22) 江部明憲:「イオンビーム支援蒸着法によるポリイミドフイルム上への銅薄膜形成における界面制御の研究」、博士学位論文、大阪大学、(1998)
(25) 後藤、清水:「イオンスパッタによるコーン形成の1つの可能性」、真空、33,3 (1990)
訂正後 : (4) 鶴田ら:「高真空中のガス吸着とMicro-discharge発生」,電学論A, 110, 6, 365 (1990)
(5) 塩入ら:「真空ギャップの絶縁破壊特性に及ぼす酸化の影響と真空加熱処理による表面の洗浄効果」,電学論A, 111, 7, 777 (1991)
(6) 塩入ら:「真空ギャップ間に金属粒子が存在する場合の絶縁破壊特性」,電学論A, 113, 4, 313 (1993)
(7) 小林ら:「超高真空中における無酸素銅電極の絶縁破壊特性」,電学論A, 14, 2, 91 (1994)
(8) 鶴田ら:「前駆電流測定による真空インパルス放電の検討」,電学論A, 18, 15 (1978)
(9) 高橋ら:「真空絶縁破壊と暗電流の関係」,電学論A, 46, 15 (1978)
(10) 菅原ら:「真空中の電圧一電流特性に及ぼす陰極表面状態の効果について」,電学論A, 108, 1, 15 (1988)
(11) 磯野ら:「電界放出電子と電極表面の微小突起との関係」,電学論A, 109, 9, 383 (1989)
(16) 高橋ら:「真空ギャップにおける絶縁破壤前駆電流特性と絶縁破壊電圧の関係」,電学論A, 119, 2, 151 (1999)
(17) 高崎ら:「真空中の電界放出機構における電子放出源の挙動について」,電学論A, 114, 2, 84 (1994)
(22) 江部明憲:「イオンビーム支援蒸着法によるポリイミドフイルム上への銅薄膜形成における界面制御の研究」、博士学位論文、大阪大学、(1998)
(25) 後藤、清水:「イオンスパッタによるコーン形成の1つの可能性」、真空、33,3 (1990)
訂正日: 2008/07/15
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