埋め込み電極を用いた塗布型有機電界効果トランジスタの高性能化

木村 友; 永瀬 隆; 小林 隆史; 瀧宮 和男; 池田 征明; 内藤 裕義

doi:10.11370/isj.53.3

原著論文

埋め込み電極を用いた塗布型有機電界効果トランジスタの高性能化

木村友, 永瀬隆, 小林隆史, 瀧宮和男, 池田征明, 内藤裕義

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キーワード: 有機電界効果トランジスタ, C₈-BTBT, トップゲート構造, 埋め込み電極

ジャーナルフリー

2014 年 53 巻 1 号 p. 3-8

DOI https://doi.org/10.11370/isj.53.3

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抄録

本研究では，可溶性低分子半導体C₈-BTBTを用いたトップゲートボトムコンタクト型有機電界効果トランジスタに埋め込み型のソース·ドレイン電極を用いることで，半導体層の平坦化によりトランジスタ特性の高性能化を行った．埋め込み電極を有するトップゲートボトムコンタクト型C₈-BTBT FETは良好なFET特性を示し，最高移動度4.9cm²/Vsが得られた．このような高移動度は微結晶シリコン薄膜トランジスタに比肩するものである．

責任著者(Corresponding author)

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