J-STAGE トップ  >  資料トップ  > 書誌事項

日本画像学会誌
Vol. 53 (2014) No. 1 p. 3-8

記事言語:

http://doi.org/10.11370/isj.53.3

原著論文

本研究では,可溶性低分子半導体C8-BTBTを用いたトップゲートボトムコンタクト型有機電界効果トランジスタに埋め込み型のソース·ドレイン電極を用いることで,半導体層の平坦化によりトランジスタ特性の高性能化を行った.埋め込み電極を有するトップゲートボトムコンタクト型C8-BTBT FETは良好なFET特性を示し,最高移動度4.9cm2/Vsが得られた.このような高移動度は微結晶シリコン薄膜トランジスタに比肩するものである.

Copyright © 2014 一般社団法人 日本画像学会

この記事を共有