塗布形成した三酸化モリブデン正孔注入層を用いたトップゲート有機電界効果トランジスタの移動度改善

抄録

塗布成膜した三酸化モリブデン (MoO₃) を正孔注入層として用い，2,7-dioctyl[1]benzothieno[3,2-b][1]benzothiophene (C₈-BTBT) を半導体層とする塗布型トップゲート有機電界効果トランジスタ (OFET) の高移動度化を検討した．MoO₃水溶液をAuソース·ドレイン電極を有するSi/SiO₂基板上にスピンコートすることでC₈-BTBT半導体層に対する正孔注入層を形成した．MoO₃塗布注入層にUV/O₃処理を施すことでトップゲートC₈-BTBT FETの接触抵抗が0.4kΩcmまで低減され，チャネル長5μmの素子で最高で1.4cm²V^-1s^-1の高い実効移動度が得られることが分かった．得られた結果は，UV/O₃処理したMoO₃注入層がC₈-BTBTの正孔ドープ層として働き，トップゲートC₈-BTBT FETのアクセス抵抗成分を低減させることを示唆している．