非晶質As2Se3薄膜の深い局在準位密度分布をゼログラフィック分光法により調べた．局在準位の特徴および起源を明確にするため，帯電・露光の周期，As:Se薄膜の組成を変化させた．その結果，非晶質As2Se3薄膜には価電子帯端上0.70から0.88 eVの範囲において，5つの局在準位が存在することがわ分った．また，5つの局在準位は2種類に分類できること，非晶質As:Se薄膜においても5つの局在準位が同様に観測されること，およびその密度は組成に敏感であることがわかった．局在準位密度の組成依存性から判断して，禁制帯中央寄りの3つの準位はSeに，価電子帯寄りの2つの準位はAsに起因すると結論した．
