a-Si:H感光体の高帯電能と高感度化
1993 年 32 巻 1 号 p. 13-17
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1993 年 32 巻 1 号 p. 13-17
感光体の光導電層の厚膜化を図ることにより，高帯電能（1090 V at O.27 μC/cm2）および高い光感度（1/E50＝10 cm2/μJ at 700 nm）のa-Si:H感光体を作製した．光導電層上部に低速（2.5 μm/h）で成膜したキャリア生成層を堆積することにより，500から650 nmの波長領域における残留電位を大幅に改善した．キャリア生成層に用いたa-Si:Hは他の光導電層に用いたa-Si:Hに比べ水素含有量，SiH2結合量が少なく，光学的バンドキャップが狭い、また，ESR信号や光導電流の減衰特性から欠陥密度も少ない．
