論文
アモルファス半導体の局在準位分布の新しい評価法
1994 年 33 巻 2 号 p. 135-141
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1994 年 33 巻 2 号 p. 135-141
アモルファス半導体の過渡光伝導からその局在準位密度分布を決定するラプラス変換を用いた新しい方法を提案した．従来の方法とは異なり，本方法は再結合時問をはさんだ広範囲の過渡光伝導から局在準位密度分布を決定することが可能である．アモルファス半導体でよく見い出される様々な局在準位密度分布への本方法の適用性を数値計算により吟味した．その結果，本方法はほとんどすべての分布に対して有効であることを示すことができた．
