全空乏SOI基板を用いた電荷転送型ピクセル

中西 駿太; 安富 啓太; 寺西 信一; 川人 祥二

doi:10.11485/iteac.2018.0_12C-3

2018年映像情報メディア学会年次大会講演予稿集

DOI https://doi.org/10.11485/iteac.2018.0_12C-3

会議情報

主催: 一般社団法人　映像情報メディア学会

会議名: 2018年映像情報メディア学会年次大会

開催日: 2018/08/29 - 2018/08/31

全空乏SOI基板を用いた電荷転送型ピクセル

*中西駿太, 安富啓太, 寺西信一, 川人祥二

著者情報

会議録・要旨集フリー

p. 12C-3-

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抄録

A fully depleted type SOI pixel image sensor having a thick depletion layer (≧ 150μm) is suitable for x-ray and near infrared sensing. In this research, to reduce reset noise, we studied the pixel structure of a charge transfer type SOI pixel which can store and transfer charges inside a pixel.

責任著者(Corresponding author)

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