FETの混変調特性に関する一考察

抄録

EETの混変調特性の改良を目的とし, 従来の理論を基に高周波への若干の拡張を行ない, 実測結果との対比を試みた.FETの低周波順方向伝達特性の入力バイアス依存性は, 混変調に対しては理想的である.しかしながら, 実測される混変調特性は, 理論値よりかなり低い.これは従来の理論を高周波まで拡張し, 順方向伝達アドミッタンスのサセプタンス分を考慮すると説明できる.