光導電型撮像管の走査側ブロッキング

抄録

As₂Se₃薄膜の表面をイオンボンバードすることにより, 走査側のブロッキング層を形成する実験を行った.正孔だけでなく電子の移動度も比較的大きいSe膜の上にこのブロッキング層を設けたターゲットは, 暗電流が少なくなり焼付きも良好であった.また残像も良好で, 大部分が容量性残像とみなせる領域に達していた.この残像はバイアスライトにより軽減できるが, メッシュ電極に塗布した螢光体により, この効果をうる実験も行った.