新評価パラメータを用いたTFT-LCDの解断
1988 年 42 巻 10 号 p. 1035-1041
詳細
1988 年 42 巻 10 号 p. 1035-1041
過去, a-Si TFTの動作特性の解析は詳細に行われているが, これをスイッチング素子として用いたTFT-LCDの電気光学特性については充分検討されているとはいえない.我々はTFT-LCDのオン特性, オフ特性, ブリッカの評価パラメータとしてそれぞれ, ΔVON, ΔVOFF, m30を導入し, 主として電気光学特性の評価を行った.オン特性については, a-Si TFTの静特性から計算される結果とΔVONとが非常によく一致する.しかしオフ特性については, a-Si TFTのオフ抵抗以外に, 信号線と画素電極間のリークまたは電界がΔVOFFに影響していることがわかった.ΔVON>0で無視できない場合にも, 見かけ上ΔVOFFが劣化する.このような影響を補正すれば, ΔVOFFはTFTのオフ特性とよく対応する.またブリッカについては, m30が実際に目で見たちらつきと一致し, 評価パラメータとして妥当であることがわかった.
