抄録
ゾル-ゲル法によりIn[OCH(CH_3)_2]_3を用いて、CRT用蛍光体(ZnS : Ag, Cl, ZnS : Cu, Al, Y_2O_2S : Eu)の表面にIn_2O_3層を形成させ低速電子線励起における発光特性の変化について調べた。その結果、被覆量の変化に伴い発光特性が著しく変化することが確認された。被覆した蛍光体の表面の抵抗率を求めたところ、被覆量の増加に伴い抵抗率が大幅に減少し、その結果、低速電子線励起時の蛍光体表面の帯電が改善されることが示された。また真空度を変えて電子線照射後の輝度劣化特性を測定したところ、真空度が高いほど輝度劣化が抑制されることがわかった。蛍光体表面の表面電位を理論的に考察することを前提とし、蛍光体への入射電子量の測定を金属電極を用いて行った。その結果、蛍光体の入射電子量は金属に比べて約50%であった。
