抄録
HARP膜積層型CMOSイメージセンサの研究を進めている.ここでは高耐圧MOS, 積層技術が重要な要素技術である.高耐圧MOSトランジスタに2重ドレイン(DDD)構造を採用し, 通常のMOSトランジスタの3倍の耐圧を得た.また, 更なる高耐圧化を狙った構造を考察し, シミュレーションを行った.積層技術については, Inマイクロバンプを従来より採用しているが, その手法の多画素化に伴う問題点を明らかにするとともに, 新たにポリイミドコアバンプによる積層法を提案した.最後にこのイメージセンサの試作および評価結果を述べている.
