2.6 AMD p-10 Enhancement of Electric Field and Generation of Extra Traps near the Drain Junction in Poly-Si TFTs Degraded by Hot-Carrier(2001 Asia Display/IDW 01 Report)

遠藤

doi:10.11485/itetr.25.80.0_5_1

映像情報メディア学会技術報告

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25.80

セッションID: IDY2001-161

DOI https://doi.org/10.11485/itetr.25.80.0_5_1

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2.6 AMD p-10 Enhancement of Electric Field and Generation of Extra Traps near the Drain Junction in Poly-Si TFTs Degraded by Hot-Carrier(2001 Asia Display/IDW 01 Report)

遠藤

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