抄録
変調光検波をイメージセンサで実現する方法として、1画素内に2つの電荷蓄積部を有する新しい画素回路方式を提案している。変調光の強度変調に同期して、変調光成分・定常光成分を振り分けて蓄積し、2つの出力差をとることで変調光成分のみを検出することができる。基本動作を実証するため、64×64 アレイを試作・評価を行った。この結果、背景光の影響を除去し、変調光成分のみによる画像を得ることができた。一方、寄生のn^+拡散層や拡散キャリアの影響により、ダイナミックレンジが狭くなる問題が明らかになった。これらの問題を解決するため、寄生のn^+拡散層へのリセットTrの取り付けや、横型オーバーフロードレインを導入した画素TEGを試作した。実験結果より、ダイナミックレンジを拡大することができた。
