ホイスラー合金を有する電流狭窄型CPP-GMR素子のバイアス電圧依存性(ハードディスクドライブおよび一般)

抄録

ホイスラー合金を用いたCPP-GMR素子に電流狭窄層を組み合わせたときのMR比,およびバイアス電圧依存性について検討した.電流狭窄層と組み合わせることにより,ホイスラー合金を用いたCPP-GMR素子のMR比は向上し,バイアス電圧の増加によるMR比の低下割合は減少した.これは,ピンホールを流れる電流によってその近傍の磁性層で発生するスピントルクによる磁気的な揺らぎが,周囲の磁性層によって効果的に抑制されたためであると考えられる.