排出制御電荷変調素子DOMによる蛍光寿命CMOSイメージセンサ(ナノフォトニクス・プラズモニクスおよびイメージセンサ一般)

抄録

排出のみの制御によって電荷変調を行うことが可能な排出制御型電荷変調素子DOMとこれを用いた蛍光寿命イメージセンサについて述べる.信号経路から転送ゲートをなくすことで,バリアレスで界面トラップの影響の受けない構造となり,極微弱光に対してもロスのない繰り返し蓄積が可能である.標準CMOSイメージセンサプロセスで時間分解型イメージセンサを試作して得られた評価結果と,これを用いて構築した蛍光寿命顕微鏡システムによる実細胞の観察実験について報告する.