200-1000nmの広光波長帯域に感度を有する高紫外光照射耐性CMOSイメージセンサ(イメージセンサ,カメラ信号処理,画像評価関連技術,及び2013IISWとVLSIシンポジウムからの発表報告)

黒田 理人; 川田 峻; 那須野 悟史; 中澤 泰希; 幸田 安真; 半澤 克彦; 須川 成利

doi:10.11485/itetr.37.40.0_21

セッションID: IST2013-47

DOI https://doi.org/10.11485/itetr.37.40.0_21

会議情報

200-1000nmの広光波長帯域に感度を有する高紫外光照射耐性CMOSイメージセンサ(イメージセンサ,カメラ信号処理,画像評価関連技術,及び2013IISWとVLSIシンポジウムからの発表報告)

黒田理人, 川田峻, 那須野悟史, 中澤泰希, 幸田安真, 半澤克彦, 須川成利

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キーワード: 感度波長帯域, 紫外光, CMOSイメージセンサ

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抄録

広光波長帯域における高い感度と紫外光照射に対して高い安定性・長期信頼性を有する画素ピッチ5.6μmのCMOSイメージセンサについて報告する.画素内の埋め込み完全空乏型フォトダイオードには,平坦化されたSi表面の近傍に急峻な濃度プロファイルを有するp^+層を形成し,紫外光に対する高感度化と紫外光照射耐性の向上を両立している.試作したCMOSイメージセンサにおいて,200-1000nmの広光波長帯域における分光感度と強い紫外光照射に対して感度劣化が無いことを確認した.

責任著者(Corresponding author)

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