全空乏化SOIピクセルを用いたロックインイメージセンサの設計と評価(高機能イメージセンシングとその応用)

長谷川 椋; 安富 啓太; 亀濱 博紀; Sumeet Shrestha; Hyungjune Yoon; 寺西 信一; 香川 景一郎; 川人 祥二

doi:10.11485/itetr.39.17.0_9

セッションID: IST2015-26

DOI https://doi.org/10.11485/itetr.39.17.0_9

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全空乏化SOIピクセルを用いたロックインイメージセンサの設計と評価(高機能イメージセンシングとその応用)

長谷川椋, 安富啓太, 亀濱博紀, Sumeet Shrestha, Hyungjune Yoon, 寺西信一, 香川景一郎, 川人祥二

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キーワード: 完全空乏, ロックインピクセル, 時間分解撮像デバイス, SOI

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抄録

本研究では,近赤外光に高い感度を有する時間分解イメージセンサの実現の為に,全空乏化SOIピクセルを用いたロックイン画素を提案する.提案する画素構造ではセンサ部を全空乏化させることで,近赤外光に対して高い量子効率と高速な電荷収集・および電荷変調を可能とする.本稿では,提案する画素構造をシミュレーションにより検討し,実際に試作した素子の基礎的な評価の結果について報告する.

責任著者(Corresponding author)

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