ネマティック液晶の入口流れの数値シミュレーション

抄録

液晶の入口流れのシミュレーションを行った．基礎式として，Fengらが提案した構成方程式およびMarrucciらが提案したポテンシャルを適用した土井理論を使用した．また，closure近似を使用せず，球面調和関数を用いて液晶分子の配向分布関数fを計算することにより分子の配向状態を求めた．基礎式を無次元化した後，無次元計算パラメータであるレイノルズ数およびデボラ数の液晶流れ場への影響を調べた．結果より，入口で主配向方向を流路幅方向に向けた一様な分布で流入する配向分布関数場は流れの発達とともに歪み，最終的に流路中心近傍で主配向方向が流れ方向を向くような分布へと至ることが分かった．