抄録
現在、薄膜形成法の一つとしてスパッタリング法が広く用いられている。その中でも主に使用されているスパッタリング法は、ドーナツ状の永久磁石を用いて、磁界を利用したマグネトロン・スパッタリングである。しかしこの方式のスパッタリングには、プラズマの生成が不均一であるため、スパッタされるターゲットの利用効率が悪く、また、強磁性体材料のスパッタを苦手としているなどいくつかの欠点をもつ。そのためこれらの欠点の改善が強く求められている。そこで本研究では、ホロー電極を使用し、ラングミュアプローブによってプラズマ特性の評価・検討を行い、高密度で均一なプラズマ源の開発を目指す。
