大気圧沿面放電を用いた単結晶シリコンの表面加工

抄録

我々は、新しいマスクレス材料加工技術として、沿面放電プラズマを適用することを提案している。本研究では、半導体を代表とした分野への応用として、シリコンの加工を試みた。実験では、沿面放電によってシリコン基板上に直線状のエッチングラインを形成することができた。シリコン基板上のエッチングラインは、処理時間の経過とともに幅及び深さ方向へエッチングが進行していくことが分かった。なお、このとき得られたエッチングレートは、約1μm/minであった。