抄録
現在、情報収集の方法の一つとしてセンサネットワークが注目されている。センサネットワークとはセンサや無線通信デバイスを一つとしたノードを各地点に配置し、ネットワークを構成することで、広範囲のセンサ情報を入手できるという技術である。各ノードは電池駆動の場合が多く低消費電力化が大きな課題となっている。
本研究ではセンサネットワーク用2.4GHz帯低雑音増幅器の低消費電力化を、MOSFETをサブスレショルド領域で動作させることにより実現した。このとき、バイアス点をgm/Idが最大となる電圧にすることで利得の低下を抑えた低消費電力化を行うことができた。
