電流経路が平面構造と立体構造のSiCパワーモジュールに関する過渡熱抵抗の比較

抄録

　SiCパワーモジュールをより高効率に動作させるためには，高速スイッチングが必要であり，そのためにはパワーモジュールの寄生インダクタンスの低減が必須である。過去の研究では，パワーモジュールの電流経路を立体構造とすることで寄生インダクタンスを低減できることが示されている。しかし，パワーモジュールの放熱性に関しては，電流経路が平面の従来構造と電流経路が立体の構造とで比較された文献を著者の知る限りみたことがない。　本稿では，電流経路が平面および立体となるSiCパワーモジュールを試作し，導入したパワーサイクル試験装置を用いて過渡熱抵抗の測定およびパワーサイクル試験による評価を行い，両者の違いを述べた。