近年，SiCやGaNなどオン抵抗が小さく，バンドギャップの広い高速動作の可能な次世代半導体デバイスが多く用いられるようになり，変調周波数，キャリア周波数の増加が顕著である．そこで，SiC-MOSFETをPWMインバータのHブリッジに採用した磁気測定装置を試作し，その動作データの収集にADコンバータ(20Msa/s，16bit)，オシロスコープの原データ(2Gsa/s，8bit)，高分解化処理を施したオシロスコープのデータ(125Msa/s，12bit模擬ハイレゾモード)，の三種の方法を用いて，電磁鋼板の磁気特性評価におけるデータの標本化速度と量子化分解能の影響について比較を行った．
