日本結晶成長学会誌
Online ISSN : 2187-8366
Print ISSN : 0385-6275
ISSN-L : 0385-6275
Si基板上へのGaAs成長の初期過程
川辺 光央高杉 英利上田 登志雄板東 .義雄北見 善三
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1987 年 13 巻 4 号 p. 233-241

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抄録
Institute of Materials Science, University of Tsukuba / Institute of Materials Science, University of Tsukuba / Institute of Materials Science, University of Tsukuba / National Institute for Research in Inorganic Materials / National Institute for Research in Inorganic Materials
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© 1987 日本結晶成長学会
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