日本結晶成長学会誌
Online ISSN : 2187-8366
Print ISSN : 0385-6275
ISSN-L : 0385-6275
23aB9 微傾斜GaAs基板上に成長するZnSeのRHEED観察(エピタキシャル成長II)
鍋谷 暢一金丸 美佐登江川 哲也加藤 孝正松本 俊
著者情報
ジャーナル フリー

1999 年 26 巻 2 号 p. 94-

詳細
抄録

The step structures formed on ZnSe surface growing on GaAs vicinal substrates were investigated by in-situ reflection high energy electron diffraction (RHEED) observation. The superposition of two kinds of rods originating from terrace and atomic array were dearly observed. The RHEED patterns revealed the uniformity of step structure.

著者関連情報
© 1999 日本結晶成長学会
前の記事 次の記事
feedback
Top