日本結晶成長学会誌
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有機金属気相エピタキシャル法により作製したGaAs基板上GaInP組成のドーピング濃度依存性 : エピキタシャル成長III
吉兼 豪勇井上 堅太郎小泉 淳浦上 昇藤原 康文竹田 美和
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2002 年 29 巻 2 号 p. 39-

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抄録

We have grown n-type GaInP layers on GaAs substrates by organometallic vapor phase epitaxy using H_2S as a dopant source. We have found a decrease in the GaInP lattice constant with an increasing H_2S supply. The lattice constant of GaInP varied from 5.7009 to 5.6318Å for the H_2S supply from 0 to 1.786μmol/min. The In composition depends greatly on the H_2S supply.

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© 2002 日本結晶成長学会
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