日本結晶成長学会誌
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液滴ヘテロエピタキシーによるInP基板上InGaAsPへのInAs量子ドットの形成と室温電流注入発光 : エピキタシャル成長III
李 祐植大賀 涼藤原 康文竹田 美和
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2002 年 29 巻 2 号 p. 38-

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抄録

We have successfully obtained InAs quantum dots grown on InGaAsP/InP by droplet hetero-epitaxy and observed room-temperature electroluminescence (EL) due to the InAs dots. Formation of InAs quantum dots has been investigated as a function of TMIn supply time for formation of In droplets.

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© 2002 日本結晶成長学会
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