日本結晶成長学会誌
Online ISSN : 2187-8366
Print ISSN : 0385-6275
ISSN-L : 0385-6275
LPCVD法による低温シリコン基板への3C-SiC生成過程 : エピキタシャル成長IV
金子 聰, 宮川 宣明, 藤山 雄一郎
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2002 年 29 巻 2 号 p. 41-

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© 2002 日本結晶成長学会
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