GeとBを同時添加されたSi種結晶とCZ-Si育成結晶との界面における格子ミスフィットの定量化 : バルク結晶成長III
2002 年 29 巻 2 号 p. 92-
詳細
2002 年 29 巻 2 号 p. 92-
We studied lattice misfit between the Ge/B co-doped Si seed crystal and the CZ-Si grown crystal. We found the critical lattice misfit between the seed and the grown crystal to avoid the generation of misfit dislocations was 1×10-4Å.
