東北大院工
半導体研
2004 年 31 巻 3 号 p. 110-
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The THz-wave intensity generated from the low carrier density GaSe (10^<10>cm^<-3>) in the frequency below 1THz is greater than that from high carrier density GaSe (10^<14>cm^<-3>), this may be due to free carrier absorption.
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