東京農工大院工
2004 年 31 巻 3 号 p. 139-
(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)
(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)
InAs quantum dots were grown on mesa-grooved (100) GaAs substrates. The distribution of InAs (lots depended strongly on the width of mesa-grooves; InNs dots array where grown on the ridges with width less than 200nm.
すでにアカウントをお持ちの場合 サインインはこちら