溶液成長法によるAlN単結晶の育成(<小特集>基板結晶)
2005 年 32 巻 1 号 p. 20-23
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2005 年 32 巻 1 号 p. 20-23
常圧窒素雰囲気下Cu-Al-Ti溶液からのAlN単結晶の成長挙動を調査した.1500-1600℃に保持した上記溶液を700-800℃冷却することで6H-SiC種結晶表面にAlNがエピタキシャルに核発生,成長することを確認した.成長速度は2μm/hrの程度であった.8μm厚さまで成長させたAlN膜中の転位密度は成長表面近傍で10^5/cm^2と小さい値であった.溶液中50℃/cmの温度勾配下に種結晶を静置することでもAlN単結晶の成長を確認した.この手法により連続的な成長が可能で10μm厚さのAlN単結晶を得ることができた.高分解能電子顕微鏡で観察したAlN/6H-SiC界面には異相などが無く,原子レベルの整合性は良好であった.
