(株)富士通研究所
東北大学金属材料研究所
2005 年 32 巻 1 号 p. 36-43
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我々は,ゾーン法によりInGaAs三元バルク結晶成長技術の開発を進めており,この方法により,組成均一で単結晶のInGaAs結晶が得られることを達成している.本稿では,ゾーン法に用いるInGaAs種結晶の成長技術やInGaAsソース原料の作製方法,およびInGaAsゾーン成長法,さらに新しいゾーン成長法として,優先方位のGaAsを種結晶に用いるゾーン成長法について報告する.
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