半導体リソグラフィー用CaF_2単結晶(<特集>材料物性から見たフッ化物・酸化物単結晶の育成技術)

住谷 圭二; Nachimuthu Senguttuvan; 清水 成宜; 青嶌 真裕; 石橋 浩之

doi:10.19009/jjacg.33.3_135

住谷圭二, Nachimuthu Senguttuvan, 清水成宜, 青嶌真裕, 石橋浩之

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2006 年 33 巻 3 号 p. 135-140

DOI https://doi.org/10.19009/jjacg.33.3_135

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抄録

半導体素子の微細化,高集積化に重要な役割を果たすのが半導体リソグラフィー技術であり,その光学系を構成する材料は高品質性,最産安定性の面において非常に重要な要素となっている,本報告では半導体リソグラフィー用途の光学材料であるCaF_2単結晶について,特に育成技術と光学的品質向上に焦点を当て,要求仕様と潜在的技術課題,それを実現してきた高品質大型単結晶育成技術,さらに複屈折やレーザー照射耐性などの光学特性の向上について研究を進めた結果を述べる.

責任著者(Corresponding author)

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