日本レーザー歯学会誌
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エナメル質初期齲蝕の脱灰におよぼすQスイッチNd: YAGレーザー照射の効果
池田 久住稲葉 大輔南 健太郎染谷 美子米満 正美井口 次夫高木 興氏
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1999 年 10 巻 1 号 p. 70-75

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抄録

本研究はレーザー照射の脱灰エナメル質におよぼす影響をin vitroとin situで検討する目的で実施した。人工的に脱灰したエナメル質にQ-switched Nd: YAG第2高調波 (532nm; 100J/cm2) を照射した。続いて, 非照射の対照を含む試料を, pH5の酸性ゲルに3週間浸漬, または上顎第一大臼歯の頬側面に接着して16名の成人口腔内に1か月間接触させた。エナメル質表層のミネラル分布はマイクロラジオグラフィ (TMR) と画像定量法により評価した。paired t-testの結果, いずれの実験においてもミネラルパラメータ値はレーザー照射と非照射試料の間においてP=0.05で有意な違いを示さなかった。結論として, 今回の結果はエナメル質病巣のさらなる脱灰進行が使用したレーザーによっては効果的に抑制されないことを示唆した。

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