株式会社宇宙環境利用研究所 日本電気株式会社
1989 年 3 巻 2 号 p. 61-67
(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)
(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)
本稿では、 まず融点付近での溶融半導体 (Si, Ge, GaSb, InSb) の熱伝導率について概説した。 主に自然対流の影響を受けて、 測定された溶融半導体の熱伝導率には、 測定によって大きなデータのばらつきが見られる。 この対流を抑制する方法として微小重力環境と磁場の利用が考えられる。 現在までに実施または計画された微小重力下での熱伝導率測定について紹介し、 加えて磁場中での水銀の熱伝導率測定結果についてもふれた。
すでにアカウントをお持ちの場合 サインインはこちら