25pYF-6 微傾斜したSi(113)面上のGa吸着構造の研究II(25pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

日本物理学会講演概要集

Online ISSN : 2189-0803
ISSN-L : 2189-0803

セッションID: 25pYF-6

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.57.1.4.0_835_2

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25pYF-6 微傾斜したSi(113)面上のGa吸着構造の研究II(25pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

鈴木秀俊, 中原仁, 一宮彪彦

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