26pKA-4 μSRを用いたC12A7中の水素状態の電子ドープ依存性(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

日本物理学会講演概要集

Online ISSN : 2189-0803
ISSN-L : 2189-0803

セッションID: 26pKA-4

DOI https://doi.org/10.11316/jpsgaiyo.68.2.4.0_860_1

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26pKA-4 μSRを用いたC12A7中の水素状態の電子ドープ依存性(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

小嶋健児, 宮崎正範, 平石雅俊, 山内一宏, 幸田章宏, 門野良典, 松石聡, 細野秀雄

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