GaAs/AlAs多重量子井戸構造における励起子非弾性散乱による発光特性

抄録

GaAs/AlAs多重量子井戸構造を試料として、発光スペクトルの励起強度依存性と温度依存性を測定した。その結果、モット転移よりも低い励起強度において閾値特性を持って出現する発光バンドが10Kから室温までの全温度領域で観測された。発光エネルギーの温度依存性の解析から、10〜170Kでは励起子－励起子散乱が、180K近傍から高温領域では励起子－電子散乱がその発光バンドの起源であると結論できた。