近藤半導体Yb_1-xR_xB₁₂(R=Lu,Zr,Y)のギャップレス状態からのYbB₁₂の近藤温度評価

抄録

近藤半導体YbB_12_は200 Kの近藤温度T_K_と、同程度のエネルギーギャップをもつ。前回YbをLu^3+^, Zr^4+^の置換合金の磁化率ピーク温度の濃度依存性からYbB_12_が仮想的ギャップレス状態で約25Kにピークがあると結論した。T_K_にはc-f混成とフェルミ準位の両方が寄与するので今回Y^3+^置換系でc-f混成効果をLu置換系と比較し、近藤絶縁体のT_K_を議論する。