h-BN上へのスタネンの作製と評価

抄録

スタネンとはスズ原子がハニカム格子の構造をとった二次元物質である。スタネンは電子がディラック粒子として振る舞うことを表す線形分散のバンド構造を持つことや、トポロジカル絶縁体であることが理論で提案されている。本研究では、Rh上のh-BN基板上に分子線エピタキシー法によるスタネンの作製を試みた。蒸着の結果現れたh-BN基板とは異なる周期性を持つ構造と、角度分解光電子分光による評価の結果を報告する。